24aZL-6 RHEED rocking curveのpeakの起源 II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  都立高専

• 橋本 巖

  東理大理

• 原 真也

  東理大理

• 堀尾 吉巳

  大同工大

• 堀尾 吉巳

  大同工大工

関連論文

• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
• 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
• 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
• 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
• 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
• 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
• 28a-P-7 収束電子線回折法によるSi中の不純物原子濃度の決定
• 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
• 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
• 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-3 格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
• 13a-DL-2 熱散漫散乱(TDS)効果の多波動力学による計算手法
• 29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
• 29a-ZB-12 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-10 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
• 28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
• 30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
• 24a-Q-1 InP、InAs、InSbの格子像について II
• 2a-TA-1 InP、InAsの格子像について
• 31a-TJ-3 多波動力学における結晶ポテンシャルの評価
• 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
• 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
• 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
• B-2 揚力の取り扱いとベルヌーイの原理(分科B:「実験開発」)
• 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
• 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
• 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
• 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 28pXM-4 再結晶化したSi薄膜の精密構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
• 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• HAADF-STEMによるSi中の不純物As原子の2次元分布の測定
• 27aYA-5 HAADF-STEMによるイオン打ち込みしたSi中のAs原子の同定
• 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
• 28p-XJ-3 動力学計算を用いた格子定数測定法の改善
• 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
• 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
• 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
• 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
• 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
• 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
• 24aZL-6 RHEED rocking curveのpeakの起源 II
• 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aXC-2 高分解能HAADF STEM像に及ぼすわずかな斜め入射の効果
• 22aYH-3 Si(011)のスルーフォーカスHAADF-STEM像
• 22aYH-2 HAADF-STEM像の計算手法
• HAADF-STEMによるSrTiO_3中Bi分布の定量解析
• 24aZL-9 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定 II
• 27aYA-4 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定
• 27aYA-3 高分解能HAADF-STEM像による不純物濃度決定の簡単な計算手法
• 24aYK-5 3次元Bloch波を用いたRHEED計算法の開発(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXM-5 欠陥を含んだ高分解能STEM像計算の高速化(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
• 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28p-XJ-4 動力学的HOLZ計算の新手法
• 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYA-1 Si(001)RHEED rocking curveのpeakの起源
• 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 30pXD-8 界面を含む HAADF STEM 像の画像処理
• 30pXD-7 HAADF STEM 像による Si/SiO_2 の構造解析 II
• 18pTH-8 新しいHAADF STEM像計算のconvolution表示II
• 22pXB-4 Structural and compositional analysis of planer faults in XO-doped SrTiO_3 (X=Sr, Ca, Ba)
• 18pTH-7 HAADF STEM像はconvolution表示できるのか?
• 28aXC-3 HAADF STEM像のconvolution表示
• 28aXC-1 新しいSTEM像の計算手法 II
• 28aXM-9 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法II(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXB-4 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法
• 21aXA-11 ZnO amorphous 中に含まれる ZnO 多重双晶微粒子の解析
• 28pYG-1 Bi_2O_3 を添加した ZnO の界面構造
• 28p-XJ-5 2次元、3次元Bloch波による電子線回折の解析
• 7aSL-3 Low-order zone axis CBED法を用いた試料の膜厚測定((電子線),X線・粒子線,領域10)
• 7aSK-11 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化II(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク