HAADF-STEMによるSrTiO_3中Bi分布の定量解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-01
著者
-
川崎 正博
Jeol U.s.a.
-
川崎 正博
日本電子株式会社
-
川崎 正博
日本電子(株)電子光学機器技術本部応用研究センター1g
-
山崎 貴司
東理大理
-
渡辺 和人
都立高専
-
塩尻 詢
金沢医大
-
塩尻 詢
金沢医大・解剖1
-
塩尻 詢
金沢医大:京工繊大
関連論文
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYA-13 高分解能HAADF STEM像に及ぼす非点の影響(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-14 Ronchigramを用いたレンズ定数の測定(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-9 低指数入射ronchigramを用いた球面収差係数の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
- 22aYH-4 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析II
- 24aZL-8 GaAsの高分解能暗視野STEM像の解析
- 27aYA-2 HAADF-STMによるSi(110)観察における原子直視性の検証
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 粒界層型半導体SrTiO_3セラミックコンデンサーの電子顕微鏡分析
- 半導体セラミックス材料の粒界観察
- 3J03 様々な窒化物を添加した窒化ケイ素の微細構造および機械的特性
- 23aTG-11 スプレー法を用いた遷移金属内包カーボンナノオニオンの作成とその構造解析(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-11 a-Zn_7Sb_2O_の(110)面に形成される双晶境界の精密構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYF-12 Layer-by-Layer法を用いた非整合多層膜の動力学計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-7 Split HOLZ lineを用いた実デバイス中に生じる歪み分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-4 Absorptive form factorの高速計算(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pTC-5 高分解能共焦点STEM像の結像理論とその可能性(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-5 Zn_7Sb_2O_spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-4 Indium-tin-oxide透明導電膜中のSn濃度に依存した構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20axB-5 Zn_7Sb_2O_ spinel構造体に生じるboundaryの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYK-6 HAADF STEM像に及ぼす分解能関数の影響(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYK-13 鉄微粒子を内包したカーボンナノオニオンの構造解析(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-12 非整合系多層膜の動力学計算(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pYA-15 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-11 低指数入射HOLZ線の定式化と歪測定への可能性(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-7 Layer-by-layer法を用いたHAADF STEM計算の改良(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-6 カーボンオニオンに内包されたFeの構造解析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-5 Kr-doped Geの再結晶化領域の構造観察(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 25pYS-3 収束電子線回折法によるSOI wafer中の歪分布の精密測定(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 13pTJ-12 Si の再結晶化領域に形成される lamellar microtwin の原子構造(電子線, 領域 10)
- 13pTJ-6 収束電子線回折法を用いた Si/SiO_2 酸化膜の歪分布の精密測定(電子線, 領域 10)
- 15aTJ-4 HF-CVD diamond 結晶粒間に形成されるナノ closed-shell carbon の観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 13pTJ-8 高分解能電子顕微鏡像及び HAADF STEM 像による Si/SiO_2 界面の構造決定(電子線, 領域 10)
- 28pXM-6 HAADF STEM法によるSi/SiO_2界面の構造解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-4 高分解能small angle BF STEM及びlarge angle BF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- HAADF-STEMによるSi中の不純物As原子の2次元分布の測定
- 27aYA-5 HAADF-STEMによるイオン打ち込みしたSi中のAs原子の同定
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 正10角形準結晶の近似結晶のHAADF観察
- 正10角形準結晶のHAADF観察
- 31p-C-7 ZnOテトラポッド粒子の断面電子顕微鏡観察
- 13pTJ-9 HAADF STEM 法による MQW InGaN/GaN 中の ordering と phase separation の解析(電子線, 領域 10)
- 22pXB-2 CBED, HAADF- 及び BF-STEM の動力学計算の高速化
- 22pXB-1 STEM 像の真空間でのノイズ除去
- 24aZL-6 RHEED rocking curveのpeakの起源 II
- Al-Cu合金のGPゾーンのHAADF-STEM像
- 散乱された電子が結ぶ像--HAADF-STEMによるGPゾーンの観察 (原子スケール評価(上))
- 先端的透過電子顕微鏡法によるSm-Co系永久磁石の微細組織と磁区構造評価
- 19aXC-5 高分解能HAADF STEM像の形成機構(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 試料ドリフト補正による高倍率EDSマッピング
- 3a-X-5 ペロブスカイト酸化物における酸素欠陥構造のイメージングプレートによる観察
- 28aXC-2 高分解能HAADF STEM像に及ぼすわずかな斜め入射の効果
- 22aYH-3 Si(011)のスルーフォーカスHAADF-STEM像
- 22aYH-2 HAADF-STEM像の計算手法
- HAADF-STEMによるSrTiO_3中Bi分布の定量解析
- 24aZL-9 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定 II
- 27aYA-4 HAADF-STEMによるSrTiO_3半導体セラミックの粒界構造の決定
- 27aYA-3 高分解能HAADF-STEM像による不純物濃度決定の簡単な計算手法
- 暗視野走査透過電子顕微鏡のコントラスト伝達関数
- 30a-YT-3 HAADF法による超格子秩序をもつAl-Ni-Coデカゴナル準結晶の構造の研究
- 5a-X-10 La-Ca-Mn-O系酸化物におけるLa・Caサイトの高分解能電顕観察
- 31p-C-12 ペロブスカイト酸化物における酸素欠陥構造の分子動力学計算と電顕観察
- 双晶構造を含む酸素欠損型LaMnO_の高分解能電子顕微鏡観察
- 29a-B-2 ペロブスカイト酸化物における酸素欠陥構造のHRTEMによる観察条件
- 31a-YM-11 ペロブスカイト化合物における酸素欠損を含む複雑な欠陥構造の観察
- 12p-DL-1 酸素欠損型ペロブスカイトにおける酸素欠損分布の電顕観察
- 24aYK-5 3次元Bloch波を用いたRHEED計算法の開発(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXM-5 欠陥を含んだ高分解能STEM像計算の高速化(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 30pXD-6 高分解能 BF STEM 像の装置定数依存性
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28p-XJ-4 動力学的HOLZ計算の新手法
- 21aYM-6 HAADF STEM像のDebye-Waller因子依存性とその精密測定(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYA-1 Si(001)RHEED rocking curveのpeakの起源
- 半導体デバイスにおけるハイブリッドTEM/STEMの応用
- 高分解能走査透過電子顕微鏡(TEM/STEM)の現状と将来展望
- 25pYS-2 HAADF STEMおよびEELSを用いたhigh-k膜の構造および組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 30pXD-8 界面を含む HAADF STEM 像の画像処理
- 30pXD-7 HAADF STEM 像による Si/SiO_2 の構造解析 II
- 18pTH-8 新しいHAADF STEM像計算のconvolution表示II
- 22pXB-4 Structural and compositional analysis of planer faults in XO-doped SrTiO_3 (X=Sr, Ca, Ba)
- 18pTH-7 HAADF STEM像はconvolution表示できるのか?
- 28aXC-3 HAADF STEM像のconvolution表示
- 28aXC-1 新しいSTEM像の計算手法 II
- 28aXM-9 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法II(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-4 収束電子線回折法を用いた局所歪みの測定方法
- 21aXA-11 ZnO amorphous 中に含まれる ZnO 多重双晶微粒子の解析
- 28pYG-1 Bi_2O_3 を添加した ZnO の界面構造
- EDSマッピング (チュートリアル)
- 64MDRAM-O-N-O 膜のナノメーター分析
- DRAM絶縁膜の元素分布解析
- Al中のXe微結晶原子のHAADF-STEM及びHRTEMによる観察
- 28p-XJ-5 2次元、3次元Bloch波による電子線回折の解析
- 7aSL-3 Low-order zone axis CBED法を用いた試料の膜厚測定((電子線),X線・粒子線,領域10)
- 7aSK-11 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化II(格子欠陥・ナノ構造,領域10)