23pTC-2 低指数入射CBED像を用いたSiGe中の湾曲測定(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 2007-08-21

著者

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 倉持 幸治

  東理大理

• 橋本 厳

  東理大理

• 柏木 章宏

  東理大理

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