大川 和宏 | 東理大理
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概要
関連著者
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大川 和宏
東理大理
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平子 晃
東理大理
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草部 一秀
東理大応用理
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大川 和宏
東京理科大学理学部応用物理学科
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平子 晃
科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト
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大川 和宏
東京理科大学理学部
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中村 健一
東京理科大学理学部
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大川 和宏
科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト
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平子 晃
東京理科大学理学部
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市川 晶也
東京理科大学理学部
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小磯 沙織
東京理科大学理学部応用物理学科
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草部 一秀
東京理科大学理学部応用物理学科
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中村 健一
東京理科大学大学院
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小林 孝嘉
電通大:jst-icorp:台湾交通大:阪大
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徳永 英司
東理大理
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金丸 博紀
東理大理
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野坂 勇悟
東理大理
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小林 孝嘉
電通大量子・物質
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山崎 貴司
富士通研究所
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山崎 貴司
東理大理
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倉持 幸治
東理大理
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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草部 一秀
東理大理
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小林 孝嘉
電通大量子-物質
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橋本 巌
東理大理
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橋本 巌
東理大物理
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橋本 巖
東理大理
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橋本 厳
東理大理
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照井 大輔
東理大理
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徳田 耕太
東京理科大学理学部応用物理学科
-
照井 大輔
東理大物理
著作論文
- 24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aPS-34 電気二重層内の水の巨大な電気光学効果 : GaN電極(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pPSA-17 GaN電極による水の電場変調分光(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 有機金属気相エピタキシー法におけるGaN薄膜の成長シミュレーション
- GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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