大川 和宏 | 東京理科大学理学部応用物理学科

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  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト:東京理科大学理学部応用物理学科

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• 市川 晶也

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• 中村 健一

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• 藤井 克司

  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

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• 宮島 顕祐

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• 宮島 顕祐

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• 大木 雄平

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著作論文

• MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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• GaNを用いた水の光電気分解デバイス : GaNの光電気化学(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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• 有機金属気相エピタキシー法におけるGaN薄膜の成長シミュレーション
• 28pPSB-72 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))

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