大川 和宏 | 東京理科大学理学部
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概要
関連著者
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大川 和宏
東京理科大学理学部
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大川 和宏
東京理科大学理学部応用物理学科
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大川 和宏
東理大理
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平子 晃
東理大理
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中村 健一
東京理科大学理学部
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藤井 克司
科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト
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大川 和宏
科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト:東京理科大学理学部応用物理学科
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平子 晃
東京理科大学理学部
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市川 晶也
東京理科大学理学部
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中村 健一
東京理科大学大学院
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宮島 顕祐
阪大院基礎工:科学技術振興機構さきがけ
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藤井 克司
科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト
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宮島 顕祐
東京理科大学理学部:JSTさきがけ
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平子 晃
科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト
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徳田 耕太
東京理科大学理学部応用物理学科
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小林 純二郎
東京理科大学理学部
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出浦 桃子
東京理科大学理学部
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大木 雄平
東京理科大学理学部応用物理学科
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長澤 和輝
東京理科大学理学部応用物理学科
著作論文
- MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- GaNを用いた水の光電気分解デバイス : GaNの光電気化学(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- 有機金属気相エピタキシー法におけるGaN薄膜の成長シミュレーション
- 24pPSB-8 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命(24pPSB 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28pPSB-73 MOVPE成長高In組成InGaNの励起スペクトル(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 28pPSB-72 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))