28pPSB-72 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
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概要
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- 2013-03-26
著者
-
大川 和宏
東京理科大学理学部応用物理学科
-
宮島 顕祐
阪大院基礎工:科学技術振興機構さきがけ
-
大川 和宏
東京理科大学理学部
-
宮島 顕祐
東京理科大学理学部:JSTさきがけ
-
大木 雄平
東京理科大学理学部応用物理学科
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