平子 晃 | 東理大理

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概要

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• 大川 和宏

  東理大理

• 平子 晃

  東理大理

• 大川 和宏

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 平子 晃

  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

• 大川 和宏

  東京理科大学理学部

• 中村 健一

  東京理科大学理学部

• 大川 和宏

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

• 平子 晃

  東京理科大学理学部

• 市川 晶也

  東京理科大学理学部

• 小磯 沙織

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

  東理大応用理

• 中村 健一

  東京理科大学大学院

• 小林 孝嘉

  電通大:jst-icorp:台湾交通大:阪大

• 徳永 英司

  東理大理

• 金丸 博紀

  東理大理

• 野坂 勇悟

  東理大理

• 小林 孝嘉

  電通大量子・物質

• 小林 孝嘉

  電通大量子-物質

• 徳田 耕太

  東京理科大学理学部応用物理学科

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著作論文

• 27aPS-34 電気二重層内の水の巨大な電気光学効果 : GaN電極(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28pPSA-17 GaN電極による水の電場変調分光(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 有機金属気相エピタキシー法におけるGaN薄膜の成長シミュレーション
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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