大川 和宏 | 科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

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概要

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• 大川 和宏

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

• 藤井 克司

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト

• 小野 雅人

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 伊藤 高志

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 岩城 安浩

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• 大川 和宏

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• 大川 和宏

  科学技術振興機構中村不均一結晶プロジェクト:東京理科大学理学部応用物理学科

• 平子 晃

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  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

• 小磯 沙織

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 草部 一秀

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• 藤井 克司

  科学技術振興機構 中村不均一結晶プロジェクト

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著作論文

• 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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