橋本 巌 | 東理大 理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
橋本 巌
東理大 理
-
橋本 巌
東理大
-
橋本 巌
東理大理
-
渡辺 和人
都立高専
-
山口 弘之
東理大 (理) 物質
-
上杉 文彦
東理大
-
上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
-
吉田 〓
広島工大
-
菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
-
菊地 吉男
富士通(株)
-
菊地 吉男
富士通研
-
加勢 正隆
富士通
-
加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
-
橋川 直人
東理大
-
吉田 〓
東理大 (理) 物質
-
吉田 〓
東大工
-
山口 弘之
東理大理
-
山口 弘之
東理大 理
-
山崎 貴司
東理大
-
山崎 貴司
東理大理
-
吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
-
吉田 正道
富士通
-
中西 伸登
東理大理
-
長枝 浩
株式会社トリマティス
-
長枝 浩
富士通
-
春山 修身
東理大・理工
-
山崎 貴司
東理大物理
-
春山 修身
東理大 理
-
吉田 〓
東大 工
-
山口 弘之
東理大
-
鈴木 良一
電総研
-
朱 紅
都立高専
-
土田 孝之
東理大理
-
渡辺 和人
都立産技高専
-
小高 康稔
富士通研究所
-
小高 康稔
東大工
-
塩尻 詢
金沢医大
-
橋川 直人
ルネサステクノロジ
-
大島 義文
富士通
-
加瀬 正隆
富士通
-
菊池 吉男
富士通
-
半田 久美子
富士通(株)
-
塩尻 詢
金沢医大・解剖1
-
土田 孝之
東理大 理
-
吉田 〓
東理大 理
-
栗原 俊
高エネ機構物構研
-
安西 優
東理大理
-
大多喜 重明
農工大教養
-
塩尻 詢
金沢医大:京工繊大
-
大多喜 重明
東理大 理
-
吉田 鍋
東理大
-
石井 秀一
東理大 理
-
広瀬 尚
東理大
-
小高 康稔
富士通研
-
渡辺 和人
都享高専
-
安西 優
東理大
著作論文
- 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
- 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
- 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性
- 3a-M-13 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物III
- 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II
- 1a-M-8 変形したAlのステージIIのサブステージ
- 11p-N-3 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 10p-N-13 急冷Al中のフランク転移ループにそうパイプ拡散
- 3a-M-11 積層欠陥四面体の歪場とイメージ コントラスト
- 14a-Q-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥の変換機構
- 14a-Q-6 急冷α-黄銅中の積層欠陥四面体の成長および消滅機構
- 24a-L-1 電子顕微鏡によるTetrahedra近傍の応力場の観察
- 3a-G-11 急冷α-黄銅の回復
- 11p-U-12 急冷a-黄銅薄膜中の二次欠陥の変換
- 11p-U-11 急冷a-黄銅中の積層欠陥四面体の消滅
- 3a-U-6 急冷α-黄銅中の二次欠陥の消滅(II)
- 8p-E-7 急冷α黄銅中のTetrahedraの消滅
- 7p-E-13 急冷の黄銅中の二次欠陥の消滅
- 2a-TA-9 急冷したα黄銅中の二次欠陥の種類
- 1p-CE-9 急冷β黄銅中の欠陥
- 25aXR-5 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))