14a-Q-6 急冷α-黄銅中の積層欠陥四面体の成長および消滅機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 18pTH-9 HAADF STEM像のdeconvolution処理
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
- 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
- 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
- 2p GJ-13 単結晶加工途上での転位分布を探るひとつの方法 II
- 6a-DQ-3 単結晶加工途上での転位分布を探るひとつの方法
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 30a-J-10 急冷β-brass中の転位ループの形成と回復
- 2p-T-1 Si中の転位の遠赤外分光による研究V
- 2p-NJ-12 Si中の転位の遠赤外分光による研究 IV
- 2p-G-5 Si中のdislocationの遠赤外分光による研究III
- 4a-L-4 ヘリウム雰囲気中で急冷したアルミニウム中の二次欠陥 II
- Sbをイオン打ち込みしたSi中の欠陥のアニーリング時間依存性
- 3a-M-13 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物III
- 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II
- 30a-J-7 加工直後の銅における電気抵抗変化
- 5a-DQ-3 急冷FCC金属中の転位ループ列の形成過程
- 1p-CE-10 温度勾配をもつ急冷銅中での二次欠陥の成長
- 11p-P-5 異種二次欠陥の形成消滅の温度依存
- 11p-P-2 急冷f.c.c.金属中の転位ループ列の形成機構
- 7a-M-12 急冷した純銅およびα-黄銅中の二次欠陥
- 11p-N-4 急冷α-黄銅中の二次欠陥の種類の組成依存
- 1a-M-8 変形したAlのステージIIのサブステージ
- 5a-P-2 加工したAlの電気抵抗の回復 III
- 2p GJ-2 転位ループ間相互作用からみたパイプ拡散の活性化エネルギ
- 31p GJ-10 アルミニウムの加工直後の電気抵抗の異常回復 II
- 5a-DQ-12 アルミニウムの加工直後の電気抵抗の異常回復
- 11p-P-4 アルミニウムの急冷途上における抵抗変化I
- 11p-P-3 薄膜中の二次欠陥の相対位置決定法,及びその応用
- 11p-N-3 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 10p-N-13 急冷Al中のフランク転移ループにそうパイプ拡散
- 3p-M-11 転位ループの消滅におよぼす転位間相互作用の影響
- 3a-M-10 急冷α-黄銅中の二次欠陥周辺の合金組成
- 30a-J-8 加工したアルミニウムの低温回復
- 7p-S-4 テルルひげ結晶の成長と不純物
- 2p GN-1 α-黄銅単結晶の成長軸の亜鉛濃度依存
- 4p-KM-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥と転位の相互作用
- 7p-Q-12 急冷銅中の転位ループ列の形成
- 8p-H-2 気相成長におけるひげ結晶のvapor速度依存
- 7a-M-4 加工したアンチモン単結晶中の転位の回復
- 7p-M-15 加工したアンチモン結晶中の粒界の回復過程
- 30a-G-13 面心立方格子上の複空孔のランダム・ウォーク
- 3a-CE-10 転位の拡張幅に及ぼす表面効果
- 8a-Q-7 過剰原子空孔の集積過程におよぼす不純物原子の影響
- 7p-Q-13 急冷銅中の二次欠陥の形成
- 7p-Q-10 過剰原子空孔の集積過程と不純物原子II
- 7a-M-11 過剰原子空孔の集積過程と不純物原子
- 11a-N-8 原子空孔の移動に関する1つの試み
- 3a-M-11 積層欠陥四面体の歪場とイメージ コントラスト
- 14a-Q-7 急冷α-黄銅中の二次欠陥の変換機構
- 14a-Q-6 急冷α-黄銅中の積層欠陥四面体の成長および消滅機構
- 24a-L-1 電子顕微鏡によるTetrahedra近傍の応力場の観察
- 3a-G-11 急冷α-黄銅の回復
- 11p-U-12 急冷a-黄銅薄膜中の二次欠陥の変換
- 11p-U-11 急冷a-黄銅中の積層欠陥四面体の消滅
- 3a-U-6 急冷α-黄銅中の二次欠陥の消滅(II)
- 8p-E-7 急冷α黄銅中のTetrahedraの消滅
- 7p-E-13 急冷の黄銅中の二次欠陥の消滅
- 2a-TA-9 急冷したα黄銅中の二次欠陥の種類
- 10p-Q-7 急冷したα黄銅中の二次欠陥の性質
- 急冷したα黄銅の二次欠陥 : 格子欠陥
- 1a-KL-1 AuおよびCu中のvacancyとdi-vacancyの電子顕微鏡像
- 1p-CE-9 急冷β黄銅中の欠陥
- 28p-LG-11 低温加工したAlのstage IIにおける活性化エネルギー(格子欠陥)
- 25aXR-5 Si中にイオン打ち込みしたKr原子の自己結晶化(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))