橋川 直人 | 東理大
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概要
関連著者
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渡辺 和人
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富士通(株)
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ルネサステクノロジ
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東芝ナノアナリシス(株)
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加勢 正隆
富士通
著作論文
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 28a-P-7 収束電子線回折法によるSi中の不純物原子濃度の決定
- 4a-X-7 GaAs, InPにおよぼす熱散漫散乱の効果II
- 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
- 31a-YM-3 InP, InAsの格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
- 13a-DL-3 格子像におよぼす熱散漫散乱の効果
- 13a-DL-2 熱散漫散乱(TDS)効果の多波動力学による計算手法
- 29a-ZB-13 InP、InAsの(100)格子像の二次元強度分布
- 29a-ZB-12 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
- 28a-S-10 高分解能電子顕微鏡像に及ぼす熱散漫散乱(TDS)の効果
- 28a-S-9 InP、InAs(100)格子像
- 30a-L-5 InP、InAs、InSbの格子像 III
- 24a-Q-1 InP、InAs、InSbの格子像について II
- 2a-TA-1 InP、InAsの格子像について
- 31a-TJ-3 多波動力学における結晶ポテンシャルの評価