菊地 吉男 | 富士通(株)
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概要
関連著者
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渡辺 和人
都立高専
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菊地 吉男
MIRAIプロジェクト
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菊地 吉男
富士通(株)
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橋本 巌
東理大理
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菊地 吉男
富士通研
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橋本 巌
東理大 理
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上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
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橋本 巌
東理大
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上杉 文彦
東理大
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加勢 正隆
富士通
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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橋川 直人
東理大
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長枝 浩
株式会社トリマティス
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長枝 浩
富士通
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上杉 文彦
東理大理
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朱 紅
都立高専
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山口 弘之
東理大理
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吉田 正道
富士通(株)プロセス開発部
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吉田 正道
富士通
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橋川 直人
ルネサステクノロジ
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大島 義文
富士通
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平塚 健二
東理大理
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加瀬 正隆
富士通
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半田 久美子
富士通(株)
著作論文
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 28p-XJ-3 動力学計算を用いた格子定数測定法の改善
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- 5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 6p-B5-3 高分解能電子顕微鏡像の新しい計算III