走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
フラッシュメモリは注入電荷を利用してセルトランジスタの閾値電圧を変化させることでメモリ素子として動作させるため,電荷の蓄積位置を明らかにすることは重要である.この電荷の可視化手段として,マイクロ波顕微鏡技術の一種である非線形誘電率顕微鏡法(Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy: SNDM)はきわめて有効な手段である.このSNDMを応用したMetal-SiO_2-SiN-SiO_2-Semiconductors (MONOS)型メモリの蓄積電荷の可視化に関して報告する.まずSNDMにより,どのように固定電荷の電子とホールを検出することができるかを説明する.さらにこの方法を発展させ,DCバイアスを印加しながら測定することでセルTrのVth分布やProgram Disturbにかかわる電荷の再分布などの情報が得られことを示す.この技術はデバイス解析に大きく寄与すると期待できる.
- 2011-05-06
著者
関連論文
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- SNDM強誘電体プローブメモリによる超高密度デジタルデータ記録再生
- SNDM強誘電体プローブメモリによる超高密度デジタルデータ記録再生(画像記録装置及び一般)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2の記録密度を持つ強誘電体記録(垂直記録および一般)
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbit/inch^2 の記録密度を持つ強誘電体記録
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 電子線ホログラフィーは磁気デバイス・材料の評価に本当に有効か?
- P3-15 水熱合成法によるエピタキシャルPbTiO_3薄膜の圧電特性(ポスターセッション3(概要講演))
- C-6-11 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたリング状分極反転現象
- SNDMによる Flash Memory の蓄積電荷の視覚化
- 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)-7×7表面およびフラーレン分子の観察
- 26pTD-8 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるフラーレン分子の観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYJ-5 走査型非線形誘電率顕微法による原子スケール像観察(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 非線形誘電率顕微鏡と次世代超高密度強誘電体記録
- 圧電・超音波材料 非線形誘電率顕微鏡を用いた3次元分極方位の絶対計測--3次元ドメイン構造の可視化
- B-3 非線形誘電率顕微鏡を用いた3次元分極方位の絶対計測(超音波物性,超音波材料)
- OB01 非線形誘電率応答と圧電応答による強誘電分極分布の観測(材料・計測)
- 走査型非線形誘電率顕微鏡の高次非線形モードと垂直距離分解能
- 非線形誘電率応答と圧電応答を用いた強誘電分極分布の観測
- 23aX-7 高分解能走査型非線形誘電率顕微鏡による強誘電ドメイン観測
- PC-5 応力下での弾性表面波の伝搬特性と複合構造零温度特性基板への応用
- 走査型電子線誘電率顕微鏡による誘電率温度係数像の撮影
- "応力下での弾性表面波の伝搬特性と零温度特性基板への応用"
- "応力下での弾性表面波の伝搬特性と零温度特性基板への応用"
- "応力下での弾性表面波の伝搬特性と零温度特性基板への応用"
- "応力下での弾性表面波の伝搬特性と零温度特性基板への応用"
- KNbO_3単結晶の非線形圧電定数の定量評価
- KNbO_3圧電性薄膜の分極分布と弾性表面波伝搬特性
- 非線形誘電率顕微鏡法を用いた強誘電体記録に関する基礎的検討
- 非線形誘電率顕微鏡法を用いた強誘電体記録に関する基礎的検討
- 22aA6 LN・LT強誘電分極壁のモルフォロジー不定比組成依存性(バルク成長II)
- 走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体デバイスの評価 (特集 SPMによる半導体表面分析の最近の展開)
- 24pYE-7 非線形誘電率顕微鏡でみる分域(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化
- INV-1 超高分解能走査型非線形誘電率顕微鏡(招待講演1)
- C-6-5 回転ディスク型非接触強誘電体記録装置の開発(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 10項 超音波エレクトロニクス研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- P3-11 非接触型走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた表面形状及び誘電率分布の同時計測(ポスターセッション3(概要講演))
- 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録
- 非線形誘電率顕微鏡
- 14a-L-3 CZ法Si単結晶の中性子小角散乱
- C-7-1 強誘電微小分極反転ドメインの生成とデータストレージシステムの試作
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbits/inch^2の記録密度をもつ強誘電体記録(センサ・一般(有機一般,及び電子デバイス一般))
- 非線形誘電率顕微鏡を用いたTbits/inch^2の記録密度をもつ強誘電体記録(センサ・一般(有機一般,及び電子デバイス一般))
- C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
- シリコンウエハ表面の反射電子顕微鏡法による観察
- 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
- 3a-A3-7 CZ法Si単結晶の中性子小角散乱II(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 2Tbit/inch^2の記録密度を持つハードディスクドライブ型強誘電体記録に関する基礎実験(映像・情報ストレージ応用技術,一般)