本田 耕一郎 | 富士通研究所基盤技術研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 富士通研究所基盤技術研究所の論文著者

関連著者

• 長 康雄

  東北大学電気通信研究所

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 本田 耕一郎

  富士通研究所基盤技術研究所

• 本田 耕一郎

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• 平永 良臣

  東北大学電気通信研究所

• 橋本 直

  東北大学電気通信研究所

• 長 康雄

  東北大学・電気通信研究所

著作論文

• SNDMによる Flash Memory の蓄積電荷の視覚化
• 走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体デバイスの評価 (特集 SPMによる半導体表面分析の最近の展開)
• 走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化
• C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
• 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)

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