KNbO_3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価
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概要
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スパッタリング法を用いて、絶縁体であるSrTiO_3基板上に導電性酸化物であるSrRuO_3結晶膜を製膜し、SrRuO_3上に水熱合成法を用いてKNbO_3圧電結晶膜を16μmの厚さでエピタキシャル成長させた。スパッタリング法では基板温度を400度に加熱し、水熱合成法ではオートクレーブを240度に加熱して製膜を行った。得られたKNbO_3//SrRuO_3//SrTiO_3上に直径100μm及び200μmのPt電極を電子線ビーム蒸着法により製膜し、誘電特性および圧電定数め測定を行った。分極値の測定結果から、分極-電界ヒステリシスカーブが観察され、良好な強誘電体としての特性を有していることが分かった。また、振動変位の測定結果から、良好かつ明確な電圧-変位バタフライループが確認された。以上の結果から、製膜したPt/KNbO_3//SR SrRuO_3//SrTiO_3の圧電定数は86pm/V,抗電界は45kV/cm,残留分極値は20μC/cm^2と、圧電薄膜として非常に優れる値を示し、超音波トランスデューサ材料として有望であることが分かった。
- 2009-07-10
著者
-
黒澤 実
東京工業大学
-
石河 睦生
東京工業大学
-
森田 剛
理研
-
森田 剛
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
榮西 弘
東工大総理工
-
長谷川 智仁
東工大総理工
-
黒澤 実
東工大総理工
-
舟窪 浩
東工大総理工
-
矢澤 慶裕
東工大
-
安井 伸太郎
東工大
-
山田 智明
東工大
-
黒澤 実
東工大・総理工
-
黒澤 実
東大・工
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
山田 智明
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
黒澤 実
東京工業大学総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東工大工
-
榮西 弘
東工大
-
森田 剛
東京大学
-
石河 睦生
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
森田 剛
東大
-
舟窪 浩
東工大
-
森田 剛
東京大学大学院
-
長谷川 智仁
東京工業大学総合理工学研究科
-
黒澤 実
東京工業大学 総合理工学研究科
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