野口 祐二 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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宮山 勝
東大先端研
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宮山 勝
東京大学生産技術研究所
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野口 祐二
東京大学生産技術研究所
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野口 祐二
東京大学先端科学技術研究センター
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野口 祐二
東大先端研
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鈴木 利昌
太陽誘電
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鈴木 利昌
太陽誘電株式会社
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藤本 正之
太陽誘電株式会社
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長田 実
物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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渡辺 隆之
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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長田 実
科学技術振興事業団 さきがけ研究21
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伊佐 寛
東京工業大学応用セラミックス研究所
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佐々木 敦
東京工業大学応用セラミックス研究所
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斎藤 啓介
日本フィリップス アプリケーションラボラトリー
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藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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清水 寛之
東京大学生産技術研究所
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舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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吉本 譲
東京工業大学応用セラミックス研究所
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吉本 護
東京工業大学
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佐々木 敦
東京工業大学
著作論文
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御
- Pb置換SrBi_2Ta_2O_9の格子ひずみと強誘電特性
- 強誘電体メモリー材料における格子欠陥と機能
- ビスマス層状構造酸化物の格子歪みと強誘電物性 ( 材料界面マイクロ工学)