層状構造BaBi_4Ti_4O_<15>単結晶の常誘電相における電気的異方性の複素インピーダンスとモジュラスによる解析
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概要
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Electrically equivalent circuits for the paraelectric phase of layer-structured BaBi_4Ti_4O_<15> single crystals in the parallel and perpendicular directions to the (Bi_2O_2)^<2+> layer were identified by complex impedance and modulus analysis at 600 to 767℃. The same form of single semicircle in complex impedance plots for both directions could be differentiated by using complex modulus plots. The equivalent circuits for the parallel and perpendicular directions to the (Bi_2O_2)^<2+> layer were identified as a single parallel RC circuit and two parallel RC circuits in a series array, respectively.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1995-03-01
著者
-
柳田 薄明
東大
-
宮山 勝
東京大学先端科学技術研究センター
-
宮山 勝
東大 先端科学技術研究セ
-
柳田 博明
東京大学工学部工業化学科
-
柳田 博明
東京大学工学部:東京大学環境安全センター
-
金 世淇
東京大学先端科学技術研究センター
-
金 世洪
東京大学先端科学技術研究センター
-
柳田 博明
東京大学工学部 学術振興会ロンドン研究連絡センター 前環境安全研究センター. 元先端科学技術研究センター
-
柳田 博明
東京大学工学部
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