SiCの相転移における積層欠陥の役割
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概要
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The role of stacking faults in the 3C→4H phase transformation in SiC was investigated by employing powder samples having different initial stacking fault densities and by intentionally adding 5 mol% Al to suppress the effect of inherent impurities. The Al addition induced the predominant formation of 4H-polytype, and the grown 4H grains appeared to have a platelet shape. Stacking faults present in the 3C phase served as nucleation sites for the formation of 4H-polytype, but the rate of 4H growth after nucleation was higher in 3C-SiC having a smaller initial stacking fault density. Roles of stacking faults in the phase transformation and its mechanism are discussed.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1992-03-01
著者
-
柳田 薄明
東大
-
徐 元善
名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻
-
河本 邦仁
東京大学工学部工業化学科
-
柳田 博明
東京大学工学部工業化学科
-
徐 元善
東京大学工学部工業化学科
-
〓 哲薫
東京大学工学部工業化学科
-
〓 哲薫
市立仁川大学校新素材工学科
-
柳田 博明
東京大学工学部 学術振興会ロンドン研究連絡センター 前環境安全研究センター. 元先端科学技術研究センター
-
柳田 博明
東京大学工学部
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