Pb,Co同時置換Bi_2VO_<5.5>単結晶におけるイオン導電率
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A single crystal of Bi_<1.94>Pb_<0.06>V_<0.9>Co_<0.1>O_<5,32>, in which the Bi and V sites of layer-structured Bi_2VO<5.5> were substituted simultaneously, was prepared for the first time and the effects of the Pb substitution on the conductivities in a(b)-and c-axis directions were investigated. Any improvements of ionic conductivity along c-axis perpendicular to the(Bi_2O_2)^<2+> layer was not observed compared with that in single crystal without Pb substitution. >From the results of conductivity and Rietveld refinement of XRD pattern, oxygen vacancies generated by Pb substitution were suggested to locate in the pseudo-perovskite block, not in the(Bi_2O_2)^<2+> layer.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2001-04-01
著者
関連論文
- 新規交代層強誘電体Bi_2WO_6-Bi_3TaTiO_9
- 種々の外部水蒸気圧下におけるAlH_2P_3O_・nH_2Oの安定性とプロトン伝導特性
- 酸化タングステン水和物のプロトン伝導性 : 電気自動車用中温動作燃料電池の開発を目指して (材料界面マイクロ工学)
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- 欠陥制御によるチタン酸ビスマス多結晶体の高分極特性
- セラミックスの界面機能を応用したセンサー設計
- 2D10 気相成長法による酸化亜鉛モデル粒界の作製
- 28a-PS-62 LaCr_xMn_O_3の磁性
- NOxを吸着したLa_,Ba_xSrCu_2O_の表面化学結合状態
- Li不足型LiMn_2O_4スピネルの合成と構造経時変化
- LiMn2O4スピネルのストイキオメトリーと電位-組成関係の低温異常
- 特集「材料界面マイクロ工学」の発刊にあたって (材料界面マイクロ工学)
- 電池と材料科学--固体アイオニクスの新展開
- 企業における基礎研究 (新しい工学の基礎)
- 中温プロトン伝導体
- 無機水和物の150℃に至る中温高水蒸気圧下でのプロトン伝導特性
- ゾル-ゲル粉末から合成したPbBi_4Zr_xTi_O_セラミックスの構造評価と電気的特性
- ゾル-ゲル法を用いたPbBi_4Ti_4O_及びPb_2Bi_4Ti_5O_薄膜の作製
- 中温作動燃料電池用プロトン伝導体の開発--金属酸化物水和物のプロトン導電性 (特集 水素製造と応用の最新動向(2))
- ポジトロニウム消滅寿命によるエポキシ樹脂中の自由体積空孔の可塑効果
- KrFエキシマレーザー照射によるSrTiO_3基セラミックス表面でのバリスター層の形成
- 回転塗布法によるWO_3系エレクトロクロミック膜の構造と特性
- 新奇メソ構造材料(バナジン酸-ポリエチレングリコール複合体)の設計
- A-3 超音波と光散乱の手法を用いた新電極材料のキャラクタリゼーション(基礎・物性・フォノン,口頭発表)
- バナジウム酸化物ゾルの光によるキャラクタリゼーション : 新型リチウム電池の開発を目指して ( 材料界面マイクロ工学)
- Pb,Co同時置換Bi_2VO_単結晶におけるイオン導電率
- 水和ジルコニア及び水和酸化スズのプロトン伝導性 (材料界面マイクロ工学)
- 2D05 バナジウム酸ビスマス多結晶体のイオン伝導に及ぼす元素置換効果
- 陽電子消滅寿命測定法による多孔質材料中の細孔の大きさや濃度の評価
- スーパーキャパシタ正極を目指した酸化バナジウムゲルとカーボン粒子の複合化 ( 材料界面マイクロ工学)
- 非晶質酸化バナジウムの構造及び電池への応用 (材料界面マイクロ工学)
- ナノ構造制御による高速物質移動電極材料の創製--高出力・大容量な電気化学キャパシタの開発を目指して (特集 ナノ空間の作製・応用・測定)
- コロイド化学的手法を用いた無機物の構造・形態制御--薄膜・多孔体のソフト化学合成
- ペロブスカイト型Li_x(W_Nb_y)O_3単結晶の合成とリチウムイオン伝導性
- 1D04 陽イオン欠陥導入による Bi 層状強誘電体の巨大分極特性
- 学術講演「マイクロ・ナノ理工学」
- 多次元協力格子の配置エントロピ-の境界値とその幾何学的性質
- La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御
- 過酸化ポリタングステン酸系無機レジスト (ポリ酸の化学--金属酸化物分子と集合体の構造と機能) -- (集合体としての物性と機能)
- X線回折法による非晶質三酸化タングステン薄膜の骨格構造の評価
- Pb置換SrBi_2Ta_2O_9の格子ひずみと強誘電特性
- 非晶質層状酸化バナジウムの構造とリチウムインタ-カレ-ション機能
- ペルオキソポリタングステン酸系無機レジストの遠紫外光照射による構造変化
- 過酸化ポリ酸から形成される酸化物薄膜とその電気化学的機能
- UV照射した過酸化ポリタングステン酸薄膜中に安定に捕獲される酸素分子
- 電池と物性研究
- 混合伝導体とその応用
- MoO3系薄膜の過酸化ポリモリブデン酸からの作製とそのエレクトロクロミック特性
- ペルオキソポリタングステン酸を原料とするフレ-ムワ-ク型酸化物の合成と電気化学特性 (無機材料の合成を支える技術とその評価) -- (表面界面・インタ-カレ-ション)
- 強誘電体メモリー材料における格子欠陥と機能
- ビスマス層状構造酸化物の格子歪みと強誘電物性 ( 材料界面マイクロ工学)