MOCVD法による強誘電体薄膜の形成 (〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望)
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概要
著者
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
酒井 朋裕
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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