CVD法による窒化タンタル薄膜の合成とその析出機構
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概要
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TaCl<SUB>5</SUB>, N<SUB>2</SUB>, H<SUB>2</SUB>, Arを原料ガスとした常圧のCVD法により, 窒化タンタル薄膜を合成した.基板として石英ガラスを用いた.析出温度, 全流量および投入ガス分圧の析出速度と構成相への影響を調べた.析出温度700℃, 全流量2.0<I>l</I>/minの条件では, 析出速度は表面反応により律速されていた.さらにこの条件について, 実験から求めた反応次数を, 考え得る律速段階に対する速度式から求めたそれと比較することによって, 律速反応を決定した.pTaC1<SUB>5</SUB>が小さいときは, 析出速度に対するpTaCl<SUB>5</SUB>とpH<SUB>2</SUB>の次数は, それぞれ1.0と1/3.1であった.一方pTaCl<SUB>5</SUB>が大きいときは, pTaCl<SUB>5</SUB>とpH<SUB>2</SUB>の次数は, それぞれ1/2.6と1/2.1であった.律速反応は五塩化タンタルの水素による還元であることがわかった.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
加藤 誠軌
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
加藤 誠軌
東京工業大学
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
水谷 惟恭
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
加藤 誠軌
東京工業大学工学部 無機材料工学科
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