解説 高品質強誘電体薄膜の低温合成--パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成
スポンサーリンク
概要
著者
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
関連論文
- Direct Crystallization and Characterization of Bi_3TiTaO_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究 (平成21年度研究報告)
- ナノ強誘電体の基礎物性 : 現状と将来展望
- PbTiO_3- and Pb(Zr,Ti)O_3-Covered ZnO Nanorods
- MOCVD法によるPbTiO_3ナノ島作製とその強誘電性
- 24pYE-6 圧電応答顕微鏡でみる分域像(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
- 29pXH-2 自己組織化による強誘電体PbTiO_3ナノ構造の形成と構造制御(領域10シンポジウム : ナノスケール構造を利用した物質創製-材料種の枠を超えて)(領域10)
- 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の観察と評価
- 21pXC-7 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の分極反転過程の観察と評価
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- Impact of 90ﾟ-Domain Wall Motion in Pb(Zr_Ti_)O_3 Film on the Ferroelectricity Induced by an Applied Electric Field
- Thick Epitaxial Pb(Zr_,Ti_)O_3 Films Grown on (100)CaF_2 Substrates with Polar-Axis-Orientation
- 多次元検出器と高分解能X線回折装置を用いた薄膜材料解析
- X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察 (特集 強誘電体におけるドメインエンジニアリングの最新動向)
- Multiferroism at Room Temperature in BiFeO_3/BiCrO_3(111) Artificial Superlattices
- 高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr,Ti)O_3の高再現性作製のための(111)配向したSrRuO_3/Pt下部電極(非揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性
- 噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
- 半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
- MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
- 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- 研究技術動向の一断面
- Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
- CVD法によるTaN_x-TiN薄膜の合成
- CVD法による窒化ニオブ薄膜の合成(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- Structural Modulation in Oxygen Deficient Epitaxial Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_X Observed by X-ray Reciprocal Space Mapping
- Epitaxial Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) Film Deposited on Si(100) Substrate by YAG Laser
- Effect of Buffer Layer on Epitaxial Growth of YSZ Deposited on Si Substrate by Slower Q-switched 266nm YAG Laser
- Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_X Thin Film Deposition by Q-switched YAG Laser
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 巨大圧電性を目指したPb(Zr,Ti)O_3単結晶膜の作製
- ペロブスカイト構造酸化物の薄膜化技術の最新動向
- Effect of La substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_ Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)
- Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg_Nb_)O_3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Preparation and Structural Analysis of Micro-patterned Pb(Zr,Ti)O_3 Film by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Perovskite SrIrO_3 Films on (100)SrTiO_3 Substrates
- Epitaxial Pt Films with Different Orientations Grown on (100)Si Substrates by RF Magnetron Sputtering
- Epitaxial Growth of (100)-Oriented β-FeSi_2 Thin Films on Insulating Substrates
- Photoluminescence Properties from β-FeSi_2 Film Epitaxially Grown on Si, YSZ and Si//YSZ
- Epitaxial Growth of β-FeSi_2 on Single Crystal Insulator
- Crystal Structure Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition-β-FeSi_2 Thin Film by X-ray Diffraction Measurement
- Perovskite Single-Phase Growth of Epitaxial Pb(Zn_Nb_)O_3 Films by Alternative-Source-Gas-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- Y_2O_3-Stabilized ZrO_2 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Residual Strain and Crystal Structure of BaTiO_3-SrTiO_3 Thin Films Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Film Thickness Dependence of Dielectric Property and Crystal Structureof PbTiO_3 Film Prepared on Pt/SiO_2/Si Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Dependence of Ferroelectric Properties on Thickness of BiFeO_3 Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition
- Ion Modification for Improvement of Insulating and Ferroelectric Properties of BiFeO_3 Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition
- Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Bi_Nd_xTi_3O_ Ferroelectric Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations
- Charge-Compensative Ion Substitution of La^-Substituted Bismuth Titanate Thin Films for Enhancement of Remanent Polarization
- Spontaneous Polarization of Neodymium-Substituted Bi_4Ti_3O_ Estimated from Epitaxially Grown Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations
- Synthesis and Electrical Properties of Sr-and Nb-Cosubstituted Bi_Sr_xTi_NbO_ Polycrystalline Thin Films
- Fabrication of M^-Substituted and M^/V^-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films [M = lanthanoid] by Chemical Solution Deposition Technique
- c軸配向ビスマス層状化合物膜の誘電特性 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
- 強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト
- 強誘電体薄膜材料における非鉛化実現の可能性
- 新材料開発 サイトエンジニアリングコンセプトに基づくBi4Ti3O12基強誘電体の設計
- 高品質SrBi_2Ta_2O_9薄膜の低温合成と配向制御
- MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi_2Ta_2O_9薄膜の合成とその電気特性評価(化学的方法による機能性酸化物膜の合成)
- PF-3 走査型非線形誘電率顕微鏡による分極ドメイン像とAFMによるトポグラフィの同時観測
- Preparation of Pb(Zr_x, Ti_)O_3 Thin Films by Source Gas Pulse-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Improvement of Property of Pb(Zr_xTi_)O_3 Thin Film Prepared by Source Gas Pulse-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Preparation of Al-doped PbTiO_3 Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Characterization
- Epitaxial Growth Map for Bi_4Ti_3O_ Films : a Determining Factor for Crystal Orientation
- Crystal Orientation Dependence on Electrical Properties of Pb(Zr, Ti)O_3 Thick Films Grown on Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Growth of Epitaxial β-FeSi_2 Thin Film on Si(001) by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
- Characterization of Ferroelectric Property of C-Axis- and Non-C-Axis-Oriented Epitaxially Grown Bi_2VO_ Thin Films : Electrical Properties of Condonsed Matter
- Local Epitaxial Growth of (103) One-Axis-Oriented SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films Prepared at Low Deposition Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Electrical Properties
- Interface and Domain Structures of (116)-Oriented SrBi_2Ta_2O_9 Thin Film Epitaxially Grown on (110) SrTiO_3 Single Crystal
- Interface and Defect Structures of (001)-Oriented SrBi_2Ta_2O_9 Thin Film Epitaxially Grown on (001) SrTiO_3 Single Crystal
- Low Temperature Direct Crystallization of SrBi_2(Ta_Nb_x)_2O_9 Thin Films by Thermal Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Properties
- Method of Distinguishing SrBi_2Ta_2O_9 Phase from Fluorite Phase Using X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping
- Bi_M_xTiTa0_9 (M=La or Nd) Ceramics with High Mechanical Quality Factor Q_m
- 技術講演会 強誘電体薄膜研究の最先端における計測・制御
- 有機金属化学気相法による強誘電体メモリー薄膜作製 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (開発事例編)
- 解説 高品質強誘電体薄膜の低温合成--パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成
- Effect of Deposition Temperature and Composition on the Microstructure and Electrical Property of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Epitaxial SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films and Their Crystal Structure
- Preparation of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition from Two New Liquid Organometallic Sources
- MOCVD法による強誘電体薄膜の形成 (〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望)
- Synthesis of Mica Thin Film by Pulsed Laser Deposition
- Chemical Stability of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition(Special Issue on Nonvolatile Memories)
- 液中レーザーアブレーションによるInPナノ粒子の作製