高品質SrBi_2Ta_2O_9薄膜の低温合成と配向制御
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概要
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強誘電体メモリ材料として注目されているSrBi_2Ta_2O_9の研究の多くはゾルゲル法で作成した薄膜について行われたものであり、一般に700℃以上の熱処理が必要である。しかし、デバイス作成にはさらなる低温化が不可欠であることから、我々はSrBi_2Ta_2O_9の気相からの直接結晶化に注目した。直接結晶化法では配向性の高いSrBi_2Ta_2O_9薄膜が610℃で作成できるが、正確な組成制御が必要であることが分かった。これは、基板の影響を受けローカルエピタキシャル成長するためである。ローカルエピタキシャル成長する事で粒の単一配向性が向上することで特性が均一化し、より高密度なデバイスへの応用が期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-06
著者
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
額賀 紀全
東京工業大学総合理工学研究科
-
三矢 昌俊
東京工業大学総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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