MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi_2Ta_2O_9薄膜の合成とその電気特性評価(<小特集>化学的方法による機能性酸化物膜の合成)
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概要
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SrBi_2Ta_O_9 (SBT) thin films were epitaxially grown on SrTiO_3 single crystals by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) . c-axis-oriented SBT film was deposited on (100) SrTiO_3 substrate above 620℃. On the other hand, (1 16)-oriented SBT film was grown on (110) SrTi03 substrate at 820℃. The remanent polarization and the coercive field of (116)-oriented SBT film were 11.4μC/cm^2 and 80 kV/cm, respectively. On the other hand, the (001) -oriented SBT film showed no ferroelectricity. These ferroelectric annisotropy of SBT agreed with the estimation from the crystal anysotropy of SBT.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-08-25
著者
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
-
渡辺 隆之
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
石川 勝之
東工大
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
額賀 紀全
東京工業大学総合理工学研究科
-
三矢 昌俊
東京工業大学総合理工学研究科
-
石川 勝之
東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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