陽 完治 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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松田 喬
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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小西 敬太
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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小西 敬太
北大量子集積センター
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松田 喬
北大量子集積センター
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陽 完治
北大量子集積センター
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片野 由人
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
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土井 俊洋
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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阿部 真一郎
北海道大学工学研究科
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大野 啓
北海道大学工学研究科
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大野 啓
北海道大学 工学研究科
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土井 俊洋
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
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阿部 真一郎
北海道大学 工学研究科
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バブ J・バベシュ
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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江尻 剛士
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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藤倉 序章
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部
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中川 隆之
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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長谷川 英機
北海道大学
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北庄 良行
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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高林 深悟
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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風間 宏信
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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Fukui T
Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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小泉 稜司
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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谷村 新
北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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中野 貴矢
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
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橋本 直孝
(株)日立製作所半導体事業部
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斉藤 俊也
北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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福井 孝志
北海道大学 大学院情報科学研究科
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松田 喬
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiC上のエピタキシャルグラフェンの成長と電子輸送特性(グラフェンの成長と応用)
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性
- ラテラルnipi構造の作製とその静電気力顕微鏡による評価
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
- 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
- マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- カソードウェル構造を有する InP 系共鳴トンネルダイオード
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用
- 自然形成InAs量子ドットの形成と単電子デバイスへの応用
- 自然形成InAs量子ドットの形成と単電子デバイスへの応用
- 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作