カソードウェル構造を有する InP 系共鳴トンネルダイオード

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概要

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井戸層にInAsを用いたInGaAs/AlAs/InAs共鳴トンネルダイオードにカソードウェルを挿入し、その電気的評価を行った。カソードウェルを挿入することにより、カソードウェルを挿入しない場合と比べて、ピーク-バレイ比が2.2から7.7へと3.5倍に、ピーク電流密度が2.3×10^4A/cm^2から6.0×10^4A/cm^2へと約3倍に増加した。このカソードウェル挿入による著しい電気的特性の向上は、カソードウェル中の電子の閉じ込め効果により電子密度分布が高いピーク値を持つためである。また、電流の二階微分から共鳴準位幅を評価したところ、その見積もりはカソードウェルの有無に関わらず46meVとなった。これは、カソードウェルの挿入による電気的特性の改善は電子密度分布の違いによることを示唆している。
1995-10-20

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