ラテラルnipi構造の作製とその静電気力顕微鏡による評価
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概要
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自己組織化によるラテラルn-i-p-i構造の作製とその静電気力顕微鏡による観察について調べた。構造作製は、(100)および(311)Aガリウムひ素基板をフォトロソグラフィーによりテラス構造を作製し、その上に分子線エピタキシーにより結晶成長を行い、その結晶成長の際にファセット面により両性ドーパントであるシリコンの取り込まれ方が異なる性質を利用している。基板方位やメサ構造、またその上への結晶成長の仕方でさまざまなファセット面が形成でき、いろいろな幅の量子細線が形成ができた。最小寸法として60nmの幅の細線の形成が(100)および(311)A両基板で確認された。同様の試料に対し、量子細線トランジスタを作製・測定することにより、電気的にもn型の細線が形成されていることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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北庄 良行
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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高林 深悟
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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風間 宏信
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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