シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)

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概要

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二次元構造を持つ新たな材料としてグラファイトの単層膜であるグラフェンが注目されている.我々はグラファイトの電気伝導特性を測定したので報告する.測定として、HOPGのゲート依存性、アイソレーションを行っていないキッシュグラファイトのホール測定を行った.結果として、ゲート依存性を確認することができたが変調の割合が小さかった.それは、電界遮蔽によりグラファイトの一部のみ影響をゲートの電界効果を受けるからだと考えられる.また、ホール測定の結果は室温と77Kで移動度とキャリア密度はおのおの2830cm^2/V・s、1.14×10^<14>cm^2 と2430cm^2/V・s、2.48×10^<13>cm^2というものだった.
2007-01-25

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