GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用
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概要
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分子線エピタキシ法(MBE)による加工基板上の選択成長とStranski-Krastanow成長モードを組み合わせた自然形成InAs量子ドットの作製とその位置制御を試みた。ウェットエッチングによりV溝加工を施したGaAs基板上に、MBEを用いてInAsを成長したところ、V溝の頂上に基底80nm、高さ10nmのInAs3次元構造が配列した。光学測定の結果、量子ドットからの発光と考えられるピークが1.23eV付近に観測された。このことは、自己組織的に形成されるInAs量子ドットが位置制御される可能性を示している。さらに、本手法で得られたInAs量子ドットのデバイスへの応用について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷村 新
北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
斉藤 俊也
北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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