静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
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概要
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分子線エピタキシー法を用いてGaAs基板上にSi、BeをドーパントとするGaAs層を交互に堆積することにより超格子構造を作製し、そのへき開面を静電気力顕微鏡(EFM)を用いて観察した。最小膜厚200Åの極薄ドーピング層に対しても良質なオーミック接触を得るため、角度研磨した試料に電極を形成した。その結果、ドーピング超格子構造による表面ポテンシャルが観測できた。解析したEFM像は周波数ωの交流電圧に対し、試料-EFM探針間の静電気力の周波数ω成分を測定したものであるが、ω、2ω成分を同時測定することにより試料の表面ポテンシャルの値を正確に評価できることが期待できる。今回はω成分と別測定であるが2ω成分からの画像が得られ、その信号レベルはω成分と比べて無視できない程度である事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
-
陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
片野 由人
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
-
土井 俊洋
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
阿部 真一郎
北海道大学工学研究科
-
大野 啓
北海道大学工学研究科
-
大野 啓
北海道大学 工学研究科
-
土井 俊洋
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
-
阿部 真一郎
北海道大学 工学研究科
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