SiC上のエピタキシャルグラフェンの成長と電子輸送特性(<特集>グラフェンの成長と応用)
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概要
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半絶縁性シリコンカーバイド(SiC)基板の熱分解により基板表面にグラフェンを生成する方法は,金属表面上のCVD法の場合のように他の基板へ転写する必要もなく大面積のグラフェンを作製する有望な方法である.最近,比較的高い背圧の不活性ガス等を用いることによりSi面SiC[0001]上に制御性よく単層グラフェン膜の成長が可能であることが知られてきた.本稿では筆者らの用いた窒素雰囲気中でのエピタキシャル・グラフェン単層膜の作製について述べ,次に電子輸送特性について(1)有限のバンドギャップを示唆する電流電圧特性の温度依存性および(2)量子輸送特性結果を紹介する.
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