硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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我々の開発したボイド形成剥離法(Void-Assisted Separation; VAS法)において、GaN自立基板成長でしばしば報告されるμm〜mm寸法の表面欠陥(ピット、インバージョンドメイン等)を効果的に抑制することに成功した。これらの表面欠陥を無くした場合には、表面欠陥の存在による応力緩和の効果が失われるため、過大な応力の蓄積により成長中に新たな転位が発生する。このため、転位密度を10^6/cm^2台中盤よりも低くするのが困難となる。この限界を、材料固有の物性と思われていたGaN結晶の硬さ(塑性変形し難さ)の制御により克服し、表面欠陥の無いGaN自立基板においても転位密度を10^5/cm^2台にまで低減することに成功した。
- 2011-11-10
著者
-
目黒 健
日立電線
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藤倉 序章
日立電線株式会社アドバンスリサーチセンター
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斉藤 俊也
北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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目黒 健
日立電線株式会社化合物半導体事業部
-
藤倉 序章
日立電線株式会社化合物半導体事業部
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斉藤 俊也
日立電線株式会社化合物半導体事業部
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大島 祐一
日立電線株式会社先端電子材料研究部:独立行政法人物質材料研究機構環境エネルギー材料部門
-
吉田 丈洋
日立電線株式会社先端電子材料研究部
-
大島 祐一
日立電線株式会社 先端電子材料研究部
-
吉田 丈洋
日立電線株式会社 先端電子材料研究部
-
斉藤 俊也
日立電線株式会社 化合物半導体事業部
-
目黒 健
日立電線株式会社 化合物半導体事業部
-
藤倉 序章
日立電線株式会社 化合物半導体事業部
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