量産型MOVPE装置によるGaN-HEMTエピの成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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概要

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• GaN-HEMTエピの量産化に対する最大の障害は、サファイア上GaNの低転位化およびAlGaNの高均一化を多数枚チャージMOVPE装置において達成する点にある。我々はまず、GaNの高温成長初期にファセット成長層を導入することにより、従来の2段階成長法を用いた場合1×10^9cm^-2程度であった大型炉によるGaNの転位密度をウエハ全面で3.5×10^8cm^-2程度にまで低減させた。さらに成長条件の最適化によりAlGaNのAl組成・膜厚分布をφ2"面内で±3%以内とすることに成功した。これらの条件を用いることにより大型炉で成長したGaN-HEMT構造において、移動度およびキャリア密度双方のバラツキが2"面内で±4%以内と良好な値を実現した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-07

著者

• 藤倉 序章

  日立電線株式会社アドバンスリサーチセンター

• 高野 和人

  日立電線株式会社 アドバンスリサーチセンター

• 飯塚 和幸

  日立電線株式会社 アドバンスリサーチセンター

• 高野 和人

  日立電線株式会社アドバンスリサーチセンター

• 飯塚 和幸

  日立電線株式会社アドバンスリサーチセンター

• 藤倉 序章

  日立電線株式会社 化合物半導体事業部

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