高周波GaAsデバイス用半絶縁性基板およびエピタキシャルウエハ

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概要

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GaAsはSiに比べ、電子の移動度が格段に大きく、この性質を活かしたマイクロ波デバイスに広く応用されている。このデバイスの市場は、移動帯、CATV、GPS、光通信といった通信分野で大きく拡大している。これらのシステムが一般家庭に普及するに従い、システムはパーソナル化、携帯化される。このため低価格、軽薄短小(down sizing)化、低消費電力化が強く求められ、デバイスには高効率化、品質の安定化が必要となる。これらデバイスに用いる基板・エピウエハでも、この観点に立った開発を行なっている。本稿では、パワーFETを例にとり、その現状を紹介する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26

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