MOVPE法によるGaAs系電子デバイス用薄膜成長と応用 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 工業調査会の論文

著者

• 佐々木 幸男

  日立電線

• 目黒 健

  日立電線

• 乙木 洋平

  日立電線 半導体技術部

関連論文

• MOVPE法によるマイクロ波デバイス用III-V化合物半導体エピタキシャルウエハの大口径・量産技術
• MOVPE法によるGaAs系電子デバイス用薄膜成長と応用 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
• CT-1-3 化合物半導体高周波デバイス用エピタキシャル成長技術(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• MOVPEによるφ4インチ高均一HEMT系エピウェハの量産技術
• 高周波GaAsデバイス用半絶縁性基板およびエピタキシャルウエハ
• 硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

スポンサーリンク