NH_3 Injection法によるGaNの合成 : バルク成長II
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概要
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GaN were synthesized by direct injection of NH_3 gas into liquid Ga melt at temperature between 900 and 980℃ under atmospheric pressure. A large amount of GaN powder was reproducibly obtained using a simple apparatus. The synthesized powder was characterized by SEM, XRD, PL and EDX, and was found to consist of fine crystals of hexagonal GaN of good quality.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
柴田 真佐知
日立電線(株) 電線研究所
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隈 彰二
日立電線(株)
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隈 彰二
日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ
-
古屋 貴士
日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ
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坂口 春典
日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ
-
柴田 真佐知
日立電線
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