LEC成長法における固液界面と単結晶成長(<特集>バルク成長(II))
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概要
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The effect of crystal/melt interface on single crystal growth of GaAs and InP by LEG method has been studied. The mechanism of polycrystallization of GaAs crystals has been investigated related to the concave interface at the edge of crystals. Gathered dislocations at the concave edge result in generation of grain boundaries. The position of the center of concavity has been found to strongly relate to the propagation and the gathering of dislocations. The measurement of the center position of concavity is useful to evaluate growth conditions. GaAs 'single' crystals with modified interfacial concavity, 500 mm-long with 3-inch diamerer and 350 mm-long with 4-inch diameter, have been grown. The formation of twins in OOO) InP crystals has been in-vestigated, focussing on the precise observation of edge facets. Irregularity of edge facets strongly relates to the generation of twins. Regularity of edge facets, which means the stability of growth conditions, is essential for the growth of twin-free InP crystals.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1992-06-15
著者
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