24aB9 NH_3 Injection法を応用したGaNの結晶成長(バルク成長VII)

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概要

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• GaN were grown by blowing NH_3 gas bubbles onto a substrate that suspended in Ga melt at 95℃ for 4.5h under atmospheric pressure. In the case of growth directly on a sapphire substrate, grown crystals show columnar shapes. On the other hand, GaN epitaxial layer of 2 - 3μm is grown on a GaN substrate that is preformed on a sapphire by MOVPE.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1999-07-01

著者

• 柴田 真佐知

  日立電線(株) 電線研究所

• 古屋 貴士

  日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ

• 坂口 春典

  日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ

• 柴田 真佐知

  日立電線

• 大井 義夫

  日立電線(株)アドバンスリサーチセンタ

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