LEC法による直径200mm GaAs単結晶(バルク成長シンポジウム)
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概要
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200mm diameter GaAs single crystals with 200mm length have been successfully grown based on the multi-heating System technology. Dislocations generated at the shoulder portion,which has been revealed as a new problem,has been reduced by eliminating facetten area as well as accumulated dislocation at the edge of the body portion.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
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