Material Report 極限CMOS開発の現状と将来展望
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
半導体技術のイノベーション--More MooreとBeyond CMOSの融合 (特集 「ポスト・ムーアの法則」時代におけるエレクトロニクス産業)
-
微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
-
微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
-
1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
-
増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
-
サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
-
サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前 : パネルディスカッション
-
アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
-
シリコン技術
-
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
-
微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
-
ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
シリコンナノドットを用いた不揮発性メモリ (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
-
超高集積Siデバイス (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
-
単一電子デバイスとその応用の展望
-
Material Report 極限CMOS開発の現状と将来展望
-
Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
(110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
(110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
(110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
-
(110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
-
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
Beyond CMOS とは?
-
応用物性
-
シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
-
(Ga,Al)As LPE成長におけるマクロステップとファセットの形成 : ステップ運動
-
CT-1-1 10nm世代に向けたMOSトランジスタの特性ばらつき克服に向けて(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
-
微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク