シリコン単一電子デバイスの集積化による電流スイッチの試作
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概要
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シリコン単一電子トランジスタ(SET)を集積して電流スイッチを試作することに成功した。クーロンブロッケード振動のピーク位置調整には、一般的な付加ゲート電極を用いず、Si微結晶フローティングゲートによるメモリ効果を用いたピーク位置制御を適用した。単一のゲートの下に2個のSETを集積し、非対称バイアス状態においてフローティングドットへの電子の注入、抜き出しを行うことにより、各SETのピーク位置を付加ゲート電極を用いずに独立制御し、電流スイッチを実現した。本手法はSETロジック回路の実現に向けて重要な技術である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
高橋 信義
松下電器産業K.K
-
高橋 信義
東京大学 生産技術研究所
-
石黒 仁揮
東京大学 生産技術研究所
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