近接電磁界を用いた非接触低電力高遠インターフェース
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概要
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近接電磁界を用いた電力効率の高い非接触高速データインターフェースの開発を進めてきた。数ミリメートル程度の通信距離を想定して、従来のコネクタの金属端子を排除した非接触コネクタを実現することを目標としている。数100μmから数mm程度の小型インダクタ間の磁界結合を用いた方式と、伝送線路間の近接電磁界結合を用いた方式について、これまでに、結合器およびインターフェース回路の設計、試作、評価を行うと同時に、それぞれの方式に適したアプリケーションを想定してプロトタイプシステムを開発した。試作システムにおいて、前者の方式ではlmm角のインダクタチャネルで2.5Gbps/ch.を達成し、後者の方式では6mm程度の長さの伝送線路結合器を用いて12.5Gbpsのデータレートを達成している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-27
著者
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