VLSI互換シリコン単一電子デバイス
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概要
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近年, 携帯機器の普及によりVLSIデバイスの低消費電力化は必須の課題である. デバイスの消費エネルギーはデバイス中の電子数に比例するので, 電子数の低減はVLSIの低消費電力化に有効である. 電子l個で動作する単一電子デバイスは, 究極の超低消費電力デバイスととらえることができる. 我々は, 将来, 従来のMOSデバイスは, 単一電子デバイスに連続的に移行し, 最終的にはMOSデバイスと単一電子デバイスが1チップ上に集積され, それぞれの特徴を生かして役割分担が進むのではないかと考えている. 図1は我々が想像する将来のVLSIチップ像である. 駆動力や高速性が要求される箇所には従来のMOSデバイスを使用し, 超低消費電力や超高集積が要求される場合には, 単一電子デバイスを用いる. このような技術を可能とするには, 数多くの課題があるが, そのうちデバイス・プロセス関係の重要な課題は, (1)単一電子デバイスの室温動作, (2)既存のVLSIプロセスと整合性のある単一電子デバイス作製プロセス, (3)ウェハレベルでの均一性と制御性, であろう. 本報告では, 異方性エッチングを用いたVLSIプロセス互換単一電子デバイス作製プロセスと, 作製した単一電子デバイスの特性について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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