シリコンナノ構造を利用したメモリデバイス (<特集>メモリ・混載メモリ及びIC一般)
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概要
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将来の不揮発性メモリとして注目されているシリコンナノ構造を記憶ノードに利用したメモリデバイスについて,その動作原理と試作例を紹介する.現状のフラッシュメモリは書き込みスピードや書き込み回数に制限があり,高い書き込み電圧が必要であるが,浮遊ゲートをシリコンナノドットに置き換えたメモリ構造では,それらの大幅な改善が期待できる.また,クーロンブロッケードの利用により,少数の電子数を制御してメモリ動作を行うことが可能となる.ナノドットメモリの具体的な特性例をレビューする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-05
著者
-
平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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