SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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概要

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• 電源電圧線(V_<DD>)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより, SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのSRAM DMA TEGで実証した.個々のトランジスタのV_<TH>シフトを調べた結果,セルのLOW側ノードに接続されているPMOSの|V_<TH>|がストレス印加により低下していることを新たに発見し,このV_<TH>シフトがSRAM自己修復に大きく貢献していることを初めて明らかにした.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-07-26

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 宮野 信治

  STARC

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