シリコン極狭チャネルMOSFETにおける量子効果を利用したデバイス設計
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概要
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量子効果が極狭チャネルMOSFETに及ぼす影響を評価し、それを利用した設計手法について議論した。n型およびp型の両方の動作が可能な極狭チャネルMOSFETを試作し、量子効果によって閾値電圧が上昇することを実験的に示した。この量子効果による閾値電圧上昇を利用して閾値電圧を制御する手法について計算による議論を行なった。さらに、極狭チャネルMOSFETの移動度の計算を行ない、従来用いられている<110>方向よりも、45度回転させた<100>方向で移動度が高いことを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
齊藤 裕太
中央大学 理工学部
-
間島 秀明
東京大学 生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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