Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-12-30
著者
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
ISHIKURO Hiroki
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
YASUDA Yuri
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
INUKAI Takashi
The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
TAKAHASHI Nobuyoshi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
INUKAI Takashi
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
NAGATA Eiji
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
Ishikuro H
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Ishikuro Hiroki
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Inukai T
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Nagata Eiji
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:chuo University
-
Yasuda Yuri
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:chuo University
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Inukai Takashi
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Takahashi N
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
HIRAMOTO Toshiro
Institute Industrial Science, The University of Tokyo
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