Room Temperature Coulomb Blockade and Low Temperature Hopping Transport in a Multiple-Dot-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (<Special Issue> Quantum Dot Structures)

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1997-06-30

著者

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• HASHIGUCHI Gen

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Fujii T

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• ISHIKURO Hiroki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• FUJII Tomoyuki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• IKOMA Toshiaki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• HASHIGUCHI Gen

  Faculty of Engineering, Kagawa University

• Ishikuro H

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Ishikuro Hiroki

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Fujii T

  Tohoku Univ. Sendai Jpn

• Ikoma T

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Hashiguchi G

  Faculty Of Engineering Kagawa University

• Ikoma Toshiaki

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Ikoma Toshiaki

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• HIRAMOTO Toshiro

  Institute Industrial Science, The University of Tokyo

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