Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate-Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2009-02-25
著者
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Putra Arifin
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Kamohara Shiro
Mirai-selete
-
NISHIDA Akio
MIRAI-Selete
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
-
Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Robust Transistor Program Nano Silicon Integration Project Research Department 4 Mirai-selete
-
Nishida Akio
MIRAI, Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan
-
HIRAMOTO Toshiro
Institute Industrial Science, The University of Tokyo
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